переменной составляющей поля анода внутри лампы в пространстве между сеткой Q й катодом. Это приводит к ослаблению проходной емкости Сса.

Через сопротивление R3 экранирующей сетке Са сообщается положительный потенциал (лежащий в пределах от 0,6 до 1 от £/а0), который в пространстве сетка Сх - катод создает примерно такое же постоянное ускоряющее поле, которое в триоде создается положительным анодом.

Благодаря малому емкостному сопротивлению по отношению к переменной составляющей тока конденсатор Сэ вместе с сопротивлением Rs действуют, кроме того, как сглаживающий фильтр, ослабляя пульсации переменной составляющей напряжения на

ч

Рис. 2.9. Включение тетрода в цепь питания (а) и схематическое изображение лучевого тетрода (б):

/ - анод; 2 - экранирующая пластина; 3 - катод; 4 - управляющая сетка; 5 - экранирующая сетка

экранирующей сетке. Такие пульсации могли бы возникнуть в связи с колебаниями в режиме усиления электронного потока, принимаемого экранирующей сеткой.

Ослабление поля анода в пространстве сетка Q - катод приводит также к повышению коэффициента усиления р, у тетрода, поскольку необходимо в большей мере увеличивать анодное напряжение по сравнению с сеточным, чтобы получить одно и то же изменение анодного тока.

Наряду с указанными преимуществами введение экранирующей сетки С2, которой сообщается положительный потенциал, привело и к отрицательному эффекту, заключающемуся в снижении при некоторых значениях анодного напряжения анодного тока в лампе.

то обусловлено уходом от анода в этом диапазоне напряжений электронов, возникающих при так называемой вторичной эмиссии. Явление вторичной эмиссии заключается в отдаче (эмиссии)

т°Ричных электронов поверхностью твердых тел при бомбарди-ruBKe ее первичными электронами. В зависимости от уровня энер-

Ии первичных электронов число вторичных электронов можег быть

меньше и больше числа первичных электронов. Вторичная эмиссия появляется у анодов электронных ламп и, в частности, у диодов и триодов, когда энергия первичных электронов превышает несколько десятков вольт. Но если вблизи анода нет поверхностей с более высокими положительными потенциалами, вторичные электроны, покинувшие анод, вновь к нему возвращаются, и в этом случае на анодном токе не сказывается вторичная эмиссия. Если же вблизи анода расположена, как это имеет место в тетродах, положительная экранирующая сетка, то вторичные электроны уходят от анода к сетке, в связи с чем анодный ток снижается (динатрон-ный эффект), и в анодных характеристиках появляется провал. Нарушение плавности хода характеристики сильно нарушает режим линейного усиления

Уход вторичных электронов от анода к экранирующей сетке может быть предупрежден понижением потенциала пространства между анодом и экранирующей сеткой (созданием отрицательного потенциального барьера перед анодом).

В современных так называемых лучевых тетродах такой барьер с потенциальным минимумом между сеткой С2 и анодом создается повышением концентрации объемного заряда электронов перед анодом путем формирования электронных потоков в пучки (лучи), как показано на рис. 2.9, б.

Исключение влияния вторичной эмиссии (динатронного эффекта) у лучевых тетродов приводит к тому, что анодные характеристики освобождаются от провалов и по своей конфигурации становятся близкими к характеристикам триодов с сеткой малой проницаемости (см. рис. 2.6, б). Благодаря наличию экранирующей сетки проходная емкость Сас у лучевых тетродов снижается до сотых долей пикофарады. Коэффициент усиления таких тетродов повышается до значений 100-1000.

Создание потенциального минимума перед анодом у пятиэлек-тродных ламп, (пентодов) достигается введением третьей сетки С3, (защитной), расположенной между анодом и экранирующей сеткой С2 и присоединяемой непосредственно к. катоду (рис. 2.10, а). Это создает нужный потенциальный барьер, поскольку потенциал пространства перед анодом близок к нулю (к потенциалу катода). Сетка Q выполняет в пентоде, так же как в других типах ламп, функции управляющей сетки. Расположение электродов в пентоде иллюстрирует рис. 2.10, б.

Проницаемость экранирующей и защитной сеток у пентода варьируется в зависимости от того, предназначается ли пентод для высокочастотных каскадов усиления напряжения или низкочастотных каскадов усиления мощности. В первом случае стремятся получить минимальную проходную емкость, делая сетки С2 и С3 более густыми (меньшей проницаемости). Во втором случае стремятся получить более высокую крутизну начальных участков анодных характеристик (рис. 2.11, а). Для этого сетки С2 и С3 выполняют

с относительно большей проницаемостью. Крутой подъем начальных участков характеристик соответствует минимуму падения напряжения в лампе при больших токах. Это обеспечивает повышение к. п. д. у каскадов усиления мощности.

Некоторые типы пентодов, применяемые в каскадах предварительного усиления напряжения, выполняются с изменяющимся просветом (шагом) между витками спирали у управляющей сетки. При малых отрицательных потенциалах на сетке электроны тормозятся, уменьшая анодный ток только в более узких просветах сетки, а затем по мере увеличения абсолютного значения отрицательного потенциала сетки электроны тормозятся и в более широких просветах сетки. Это приводит к удлиненной анодно-сеточной характеристике (лампа типа варимю) и к возможности изменять крутизну на

Рис. 2.10. Включение пентода в цепь питания (а) и его общий вид (б): / - верхнее слюдяное крепление; 2 - сетки; 3 - анод; 4 - нижнее крепление; 5 - газопоглотитель

рабочем участке характеристики для регулирования коэффициента усиления каскада.

Междуэлектродная емкость между управляющей сеткой и анодом у высокочастотных пентодов еще меньше, чем у тетродов. Она не превышает сотых долей пикофарады. Коэффициент усиления у пентодов достигает нескольких тысяч, а внутреннее сопротивление па пологих участках его характеристик достигает нескольких мегом, фи столь большом внутреннем сопротивлении ток в анодной цепи У пентодов, так же как и у тетродов, мало зависит от величины на-РУзочного сопротивления (если оно не очень велико). Это значит, то° Пент°Ды работают в режиме, близком к источнику тока. Поэ-Щ в качестве основного параметра-, по которому оцениваются илительные свойства пентода, используется не коэффициент