иНформации на светодиодных экранах производится по принци-й^емаТрИчной адресации.

У j [a основе светодиодов выполняют полупроводниковые знакосин-яруюЗДие индикаторы (рис. 4.13, а, б). Число используемых свето-

дов здесь равно количеству сегментов знакосинтезирующего сим-з& (например, 7, рис. 4.13, б). С целью преобразования свечения то-

Линза

юооо юооо тшФФ

юоо® юоо®

Рис. 4.12. Принцип выполнения матричных экранов на светодио-дах

Рис. 4.13. Вид сбоку (а) и схема цоколевки цифрового индикатора КЛ104А (б) (/ - общий вывод анодов, 2-4, 6-9 - выводы катодов, 5 - свободный ВЫВОД!

чечного источника, каким является светодиод, в свечение сегмента сверху каждого светодиода наносят полоску из светорассеивающего материала. Этот принцип применяют при создании светодиодных панелей плоской конструкции с большим числом располагаемых в ряд или в несколько рядов знакомест. Светодиодные панели предназначены для отображения текстовой или цифровой информации. Знако-синтезирующие полупроводниковые индикаторы выпускают с высотой отображаемых знаков до 15 мм.

Благодаря невысокой стоимости, низким напряжениям питания, малой потребляемой мощности и большому сроку службы полупроводниковые индикаторы наиболее предпочтительны для создания современного переносного и портативного оборудования различного назначения. Их целесообразно применять также в устройствах, предназначенных для отображения большого объема информации.

Схемы управления на полупроводниковых цифровых индикаторах Ри количестве разрядов (знакомест) 2-3 выполняют по статическо-У методу, при большем числе разрядов используют мультиплекс- метод (см. рис. 4.4). Вся информационно-логическая часть схемы Дизуется на интегральных микросхемах. Ин Удьтиплексная схема включения полупроводниковых цифровых ИндИКатоР°в показана на рис. 4.14. Катодные ключи управления дикаторами выполнены на транзисторах т\ - Г7, а анодные клю-~~ На транзисторах Т а1-Тап. Транзисторы анодных ключей

вКлю - Нчнзисторах 1 а1 - ап. 1ранзисторы анидных ключей вЬ!ГоЧены последовательно с индикаторами. Такое их включение схеМдНее чем параллельное (см. рис. 4.10, а), так как управляющая при этом не потребляет энергию в те такты работы схемы, ког-

да информация на индикаторе не отображается. Последовательна включение анодных ключей для управления полупроводниковы индикаторами осуществимо ввиду низких рабочих напряжений эт индикаторов. Катодные ключи управляются сигналами с выход„ дешифратора. Анодные ключи получают сигналы управления от б^щ ков сравнения кодов соответствующих декад (см. рис. 4.4).

При открытых катодных ключах, но закрытом анодном ключ например транзисторе Та1 индикатора Hi (рис. 4.14), питание на и

К дешифратору

Рис. 4.14. Мультиплексная схема включения полупроводниковых цифровых индикаторов

дикатор не подается и информация на нем не отображается. Ток че транзистор Та1 и светодиоды индикатора не протекает. Открын анодный и катодные ключи (например, транзисторы 7\, Tit Тъ, / подключают соответствующие светодиоды через резистор Ral к ист' нику питания, обеспечивая протекание через них тока необходим величины и отображение информации (в данном случае цифры 4).

Каждый из анодных ключей открывается в течение одного изд тактов работы схемы (см. рис. 4.4), в связи с чем токи, протекаю через светодиоды, имеют импульсный характер. Средний ток све\ диода /ср связан с током в импульсе 1 ,п соотношением /ср= /То/Ю, Ц чем одновременно может быть включено несколько светодиодов (с© ментов). Минимальное количество одновременно включенных све|1 диодов равно двум (при отображении цифры 1 открыты транзистд Г4, Гв), а максимальное - семи (при регистрации цифры 8). Из различия в количестве одновременно включенных светодиодов /т при отображении цифр от 0 до 9 будет изменяться. Наибольший; протекает при наименьшем числе (два) одновременно включенных .- тодиодов, т. е. fmmax = (Еa - Ua)/(2Ra), где Ua - падение на жения на светодиоде. Поскольку среднее значение тока светод при этом не должно превышать максимально допустимого si, ния /ср.доп, получаем расчетное соотношение для выбора сопрй ления резистора /?а: Ra > (Еa - £/а)/(20/Ср.ДОп)- Напряжение

обычно составляет (1,5-ь- 2)cVa. Транзисторы анодных и катодных кЛ!очей (в микросхемном исполнении) выбирают на напряжение Еа

Я ТОК /тшаг

§ 4.5. ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНДИКАЦИИ

Жидкокристаллическое состояние вещества является промежуточным между жидким и твердым его состояниями. Вещество, находящееся в жидкокристаллическом состоянии, обладает свойствами и

.2 .3

Ж

НвттичешйЖН Холестеричесши ЖК а) В)

Рис. 4.15. Ориентация молекула Рис. 4.16. Конструкция ЖК-индикаторэ нематическом (а) и холестеричес- (1 - стеклянные пластины, 2 - электроды ком (б) жидких кристаллах из окиси олова, 3 - слой жидкого кристалла, 4 - уплотнительные прокладки, б - внешние выводы)

жидкости (текучестью, способностью образовывать капли), и кристаллического тела (упорядоченным расположением молекул), благодаря чему ряд его физических свойств зависит от направления измерения. Общим признаком жидкокристаллических веществ служит удлиненная (сигарообразная) форма их молекул.

Способностью находиться в жидкокристаллическом состоянии чаще всего обладают органические соединения, причем это свойство проявляется лишь при определенном для каждого вещества диапазоне температур. За границами этого диапазона вещество принимает свойства либо твердого тела, либо изотропной жидкости. По характеру Бзаимной ориентации молекул различают три типа жидкокристаллических веществ: нематические, холестерические и смектические.

Интерес к жидким кристаллам (ЖК) для элементов индикации вызван изменением ориентации их молекул под воздействием электри-еского поля и связанным с этим изменением светопропускной спорности (прозрачности) жидкокристаллических веществ. В таких Р*ДйКаторах используются нематические и холестерические ЖК.

ектические жидкокристаллические вещества из-за высокой вяз-в ти широкого применения здесь не нашли. Ориентация молекул нематическом и холестерическом ЖК в отсутствие электрического ил показана на рис. 4.15.

°пти Жидких кристаллах наблюдается большое количество электро-ческих эффектов, влияющих на светопропускную способность.