AU, = hu&h + hnAU2, A/2 = A21A/! + ft22A[/2.

(1.331 (1.34

Параметры, входящие в уравнения (1.33), (1.34), определяют: hu = Af/i/A/i-входное сопротивление транзистора при неизмен! ном выходном напряжении (AU 2 = 0); А21 = AIJAIi- коэффици! ент передачи тока при неизменном выходном напряжении (А/72 = 0) fe12 = AU if AU 2-коэффициент обратной связи по напряжению пр* неизменном входном токе (A/i = 0); fe22 = А/2/А/72 - выходнув проводимость транзистора при неизменном входном токе (Ah = 0)

Конкретные значения А-параметров зависят от схемы включение транзистора, т. е. от того, какие токи и напряжения являются вход ными и выходными. В справочниках обычно приводят /ьпараметры! измеренные в схеме ОБ для средней полосы частот при типовых зна| чениях постоянных составляющих тока и напряжения.

Установим связь А-параметров транзистора с их физическими параметрами в схеме ОБ.

С этой целью воспользуемся схемой рис. 1.29, а. Примем в ней напряжение е кб = 0, переменные составляющие заменим при pal щениями: иэб = AUit i3 = Afit ик6 = AU2, iK == А/2, а ток i6 вы! разим через входной ток: i6 = (1 - а)А/ь

Для входной цепи транзистора (см. рис. 1.29, а) при AU2 = имеем

Д[/1= А/Х[гэ +(1 - а)г6],

hn = гэ + (\ -а)гб. Для того же режима (AU 2 = 0) ток выходной цепи

А/2 = aAfv

А21 = а.

(3.351

(1.36

В отсутствие приращений входного тока (Aft = 0) ток в выходно| цепи

AUt AU2

А/2 =

или

гк (б) + гк (б)

22= 1/гк (б)

(1.37

Для этого же режима напряжения на входе и выходе соответс?; венно равны

AUX = А/2гб, Шг А/2гк (б)

12 Гб/Гк (б) .

улученные соотношения для -параметров используем для вы-ажения физических параметров транзистора через его -параметры:

гв = 11 - (1 -h21) hjh,

(1.39)

= 1 /й-.

а = Л21.

Л, - 1 / 22

Тшш транзисторов

Деление транзисторов на типы связано с их назначением, а также применяемой технологией создания трехслойной транзисторной структуры. Наиболее характерными признаками деления транзисторов по назначению являются частота усиливаемого сигнала (низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ-транзисторы) и допустимая мощное ть рассеяния в коллекторном переходе Рк. Показателем частотных свойств транзистора, как отмечалось, является частота fa.

Допустимая мощность рассеяния Рк определяется условиями отвода теплоты от коллектора. Мощность Рк имеет прямую связь с энергетическими показателями выходной (нагрузочной) цепи транзистора. По допустимой мощности в коллекторном переходе различают транзисторы малой мощности (Рк< 0,3 Вт), средней мощности (0,3 В г < Рв < 1,5 Вт) и большой мощности (Рк > 1,5 Вт). При энергетическом расчете выходной цепи транзистора рассчитывают мощность Рк и выбирают тип транзистора по мощности. При использовании транзисторов средней и большой мощности следует увеличивать теплоотвод для обеспечения допустимой температуры полупроводниковой структуры. С этой целью предусматривают поглощение теплоты массивным корпусом аппаратуры, на котором крепится транзистор, или, как и в мощных диодах, применяют радиатор для теплообмена с окружающей средой.

Повышение мощности транзисторов связано с увеличением их нагрузочной способности по току /э и напряжению Uk6 (или UK3 для схемы ОЭ). Задача увеличения тока решается увеличением рабочей поверхности эмиттера и коллектора. Повышение нагрузочной спо-сооности х по напряжению достигается путем перевода возможного Режима пробоя коллекторного перехода в область более высоких напряжений. В настоящее время выпускаются транзисторы общепромышленного назначения на ток /э = 12ч- 15 А и напряжение и 5 = 120ч- 150 В.

По технологии изготовления различают сплавные, диффузионные, диффузионно-сплавные, конверсионные, эпитаксиальные и планарные транзисторы.

Принцип изготовления сплавных транзисторов же, что и сплавных диодов. Отличие заключается лишь в том, о вплавление примесных таблеток здесь производится с двух сто-

рон исходной полупроводниковой пластины. По сплавной тех логии изготовляют низкочастотные транзисторы малой, средней большой мощности.

Диффузионная технология позволяет создавать ус ряющее поле в базе для носителей заряда, проходящих в направ нии коллектора, в связи с чем транзисторы, изготовленные по так

технологии, называют дрейфовым Диффузионную технологию использу при создании высокочастотных иСВЧ-тра зисторов. Технология изготовления ди фузионных транзисторов напоминает т~ нологию изготовления диффузионных ДИ; дов. Отличие заключается в том, что д/ получения двух р-я-переходов произ дится диффузия двух видов примеси ( норной и акцепторной) на неодинаков глубину. Этот метод двойной диффуз рассмотрим на примере изготовления г~ маниевых транзисторов типа р-п-р.

Исходным материалом является гер~ ниевая пластина р-типа с некоторой к центрацией УУа1 (рис. 1.31, а, б). Дон ная и акцепторная примеси, вводим методом диффузии, имеют следую особенности. Коэффициент диффузии норной примеси (сурьмы) больше, акцепторной примеси (индия). Концент ция акцепторной примеси задается боль донорной. В результате диффузии дв~ компонентной примеси получают расп деление концентраций акцепторной и норной примесей, показанное на р 1.31, б. Донорная примесь проник на большую глубину, так как коэффици диффузии ее атомов больше, а акцепт пая примесь создает большую концент Тип электропроводности пластины по г созданной концентрации акц

Рис. 1.31. Трехслойная транзисторная структура (а), распределение концентраций акцепторной и донорной примесей (б) н результирующей примеси (в) при диффузионной технологии

цию у поверхности бине определяется разностью

торной и донорной примесей Na - NK (рис. 1.31, в). На участ О - xi и х2 - xs акцепторная примесь преобладает над донорн На участке xi - х2 соотношение концентраций обратное. Та образом, получаем полупроводниковую структуру транзистора т р-п-р с двумя р-я-переходами на границах раздела слоев. В силу то что в слое базы распределение концентрации донорной примеси у вает по глубине, в ней создается ускоряющее поле для дырок, п ходящих в направлении коллектора.

Принцип создания транзисторной структуры при д и ф ф у онно-сплавной технологии подобен диффузионн Здесь создается аналогичное рис. 1.31, б распределение концентра